由于石墨盤與晶圓接觸區(qū)域較多，在生長厚膜外延片時，沉積的外延層會增加石墨盤與半導體晶圓的粘接，使得生長完成后將外延片從石墨盤中無損傷取出較為困難，甚至可能導致裂片；2)因晶圓邊緣處較高的臺階使得該區(qū)域存在氣體湍流，容易滯留較多的生長氣體，從而使得外延片厚度和載流子濃度均勻性較差；3)因外延爐一般采用射頻感應加熱，熱量傳遞的方向是沿著石墨盤徑向從邊緣到中心，使得石墨盤邊緣的溫度高于中心區(qū)域的溫度，這在大尺寸外延生長中尤為突出。